3月4日，英唐智控发布公告称，公司拟与CHANGYORKYUAN(以下简称“张远”)、GTechSystemsGroupInc.，(以下简称“GTSGI”)签署《合作协议》，在半导体投资、研发设计、生产制造等方面进行深度合作。
合作协议主要包括GTSGI向公司控股重孙公司科富香港控股有限公司(以下简称“科富”)转移其所获得的目标公司PioneerMicroTechnologyCorporation(先锋微技术有限公司，以下简称“MTC”)的独家股权受让权，由科富收购目标公司MTC，并承接GTSGI在MTC股权转让交易中的权利和义务。之后，张远及GTSGI将协助公司收购上海芯石半导体股份有限公司(以下简称“上海芯石”)10-20%股份，收购价格不超过6000万元人民币，以及公司还将和张远及GTSGI展开在中国选择符合半导体产业发展的城市投资设立新公司的工程。
通过上述深度合作，英唐智控将布局光电集成电路、无人驾驶传感器领域和半导体设计领域。其投资设立半导体新公司，布局硅基、碳化硅为基础的模拟电路、大功率器件等半导体芯片的生产领域。未来，英唐也将从研发设计及晶圆厂线形成功率半导体的一个产业链条。
相关资料显示，上海芯石主要产品为半导体分立器件芯片尤其是肖特基二极管芯片，其在该行业具备一定的核心竞争力。目前，上海芯石正在着手第三代半导体碳化硅肖特基的开发和市场布局，且碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)已经全面产出样品并推向了市场，并计划在2020年开始研发碳化硅MOS，此产品目前还无国产化产品量产。
公开资料显示，中国是全球最大的功率半导体消费地区，但整体自给率不足20%，而国际大厂逐渐转型至工控/汽车电子领域，导致消费类功率产品供给减少。这为未来国内功率器件厂商带来了新的机遇，有望实现中低压率先替代，中高端逐步突破。
中信证券指出，新一代SiC功率半导体产凭借其低功耗、长寿命、高频率、体积小、质量轻等优势，在EV、轨交、通信及光伏领域具备较强的替代潜力;随着SiC器件成本不断下降，未来有望在强化产品全生命周期成本优势的基础上，逐步实现初始投资优势，长期发展空间巨大。
英唐智控表示，未来将根据产品线和市场需求的增加，争取在现有基础上建立统一的研发中心、制定明确的研发规划和培养分工明确的团队来提升公司技术水平及开发能力。在现有上海芯石身后的研发技术和人才团队帮助下，将有利于带动英唐智控在5G的市场增长驱动下实现营收、毛利率、净利率的不断增长，以保持长期快速发展的战略目标，成为全球领先的半导体技术增值服务商。
